창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN4800LSSQ-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN4800LSSQ | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 798pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.46W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN4800LSSQ-13DI DMN4800LSSQ-13DI-ND DMN4800LSSQ-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN4800LSSQ-13 | |
관련 링크 | DMN4800L, DMN4800LSSQ-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
VJ2220A331KBAAT4X | 330pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A331KBAAT4X.pdf | ||
BXA150-48W48 | BXA150-48W48 ARTESYN SMD or Through Hole | BXA150-48W48.pdf | ||
IDT709089L12PF8 | IDT709089L12PF8 IDT SMD or Through Hole | IDT709089L12PF8.pdf | ||
LM239D(SMD) D/C01 | LM239D(SMD) D/C01 N/A NULL | LM239D(SMD) D/C01.pdf | ||
RPI574N1 | RPI574N1 ROHM DIP-4 | RPI574N1.pdf | ||
OZ888GS0LN-C-0-TR | OZ888GS0LN-C-0-TR MICRO QFN | OZ888GS0LN-C-0-TR.pdf | ||
65863-097 | 65863-097 HHSMITH SOP16 | 65863-097.pdf | ||
TDA7073AN5 | TDA7073AN5 PHI DIP16 | TDA7073AN5.pdf | ||
SN74HCT86M | SN74HCT86M TI SOP-143.9 | SN74HCT86M.pdf | ||
SEL3834B-156.2500 | SEL3834B-156.2500 PERICOM SMD or Through Hole | SEL3834B-156.2500.pdf | ||
D5129 | D5129 ORIGINAL TO-3PF | D5129.pdf | ||
DM86L70N | DM86L70N NS DIP-14 | DM86L70N.pdf |