창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN4800LSSL-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN4800LSSL | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 798pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.46W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN4800LSSL-13DITR DMN4800LSSL13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN4800LSSL-13 | |
관련 링크 | DMN4800L, DMN4800LSSL-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
SAS10S12AD | SS TIMR ON DLY, 10S, 110VAC/DC | SAS10S12AD.pdf | ||
F861AL272K310C | F861AL272K310C KEMET SMD or Through Hole | F861AL272K310C.pdf | ||
LT3467AES6PBF | LT3467AES6PBF LT SOT23 | LT3467AES6PBF.pdf | ||
GHM1040SL151J2K | GHM1040SL151J2K MURATA 1812SMD | GHM1040SL151J2K.pdf | ||
MSP430F1491PMR | MSP430F1491PMR TI QFP | MSP430F1491PMR.pdf | ||
NUF2441FCT1 | NUF2441FCT1 ONS SMD or Through Hole | NUF2441FCT1.pdf | ||
PK73B1JTTD-J | PK73B1JTTD-J KOA SMD or Through Hole | PK73B1JTTD-J.pdf | ||
LT1963EQ2.5 | LT1963EQ2.5 LT 263-5 | LT1963EQ2.5.pdf | ||
PC74HCT280P | PC74HCT280P TEXAS DIP-14L | PC74HCT280P.pdf | ||
KAJ07TAGT | KAJ07TAGT E-Switch SMD or Through Hole | KAJ07TAGT.pdf | ||
EGN13-14 | EGN13-14 FUJI SMD or Through Hole | EGN13-14.pdf | ||
GRM220Y5V105Z10T641PT128 | GRM220Y5V105Z10T641PT128 MURlW SMD or Through Hole | GRM220Y5V105Z10T641PT128.pdf |