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Diodes Incorporated DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13
제조업체 부품 번호
DMN3190LDW-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
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내부 부품 번호EIS-DMN3190LDW-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMN3190LDW
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 조립/원산지Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1A
Rds On(최대) @ Id, Vgs190m옴 @ 1.3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds87pF @ 20V
전력 - 최대320mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SOT-363
표준 포장 10,000
다른 이름DMN3190LDW-13DI
DMN3190LDW-13DI-ND
DMN3190LDW-13DITR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMN3190LDW-13
관련 링크DMN3190, DMN3190LDW-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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