창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3150L-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3150L | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 23/May/2008 Green Encapsulate 15/May/2008 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 28V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 305pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3150L7 DMN3150LDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3150L-7 | |
관련 링크 | DMN315, DMN3150L-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | TNPW06032K49BEEN | RES SMD 2.49KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06032K49BEEN.pdf | |
![]() | CRCW040293R1FKTD | RES SMD 93.1 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW040293R1FKTD.pdf | |
![]() | AD924 | AD924 AD NA | AD924.pdf | |
![]() | SBK160808T-601Y-N | SBK160808T-601Y-N chilisin SMD or Through Hole | SBK160808T-601Y-N.pdf | |
![]() | F320B3A | F320B3A INTEL BGA | F320B3A.pdf | |
![]() | ESMH500VSN332MQ25S | ESMH500VSN332MQ25S NIPPON DIP | ESMH500VSN332MQ25S.pdf | |
![]() | LT1510IGN#PBF | LT1510IGN#PBF Linear SMD or Through Hole | LT1510IGN#PBF.pdf | |
![]() | S100136F | S100136F SIGNETIC DIP | S100136F.pdf | |
![]() | 400V335 (400V3.3UF | 400V335 (400V3.3UF ORIGINAL DIP | 400V335 (400V3.3UF.pdf | |
![]() | 97-18-10P(431) | 97-18-10P(431) AMP SMD or Through Hole | 97-18-10P(431).pdf | |
![]() | MCM518160BJ-60 | MCM518160BJ-60 MOT SOJ42 | MCM518160BJ-60.pdf | |
![]() | TA149BFN | TA149BFN TOSIBA TSSOP | TA149BFN.pdf |