창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN30H4D0L-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN30H4D0L | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 300mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 187.3pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 310mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DMN30H4D0L-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN30H4D0L-13 | |
관련 링크 | DMN30H4, DMN30H4D0L-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
GRM2196P2A180JZ01D | 18pF 100V 세라믹 커패시터 P2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196P2A180JZ01D.pdf | ||
7X-48.000MBC-T | 48MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 20mA Enable/Disable | 7X-48.000MBC-T.pdf | ||
CRCW251257K6FKTG | RES SMD 57.6K OHM 1% 1W 2512 | CRCW251257K6FKTG.pdf | ||
C566C-RFS-CU0V0BB1 | C566C-RFS-CU0V0BB1 CREE ROHS | C566C-RFS-CU0V0BB1.pdf | ||
ICE2QR2280Z | ICE2QR2280Z Infineon SMD or Through Hole | ICE2QR2280Z.pdf | ||
D045 | D045 N/A 6SOT23 | D045.pdf | ||
AZ431BZ-ATBE1 | AZ431BZ-ATBE1 AAC TO-92 | AZ431BZ-ATBE1.pdf | ||
RBV1002D | RBV1002D EIC/ SMD or Through Hole | RBV1002D.pdf | ||
2SD1935-5-7-TB | 2SD1935-5-7-TB SANYO SOT-23 | 2SD1935-5-7-TB.pdf | ||
PC300TWRG4B-3C-T | PC300TWRG4B-3C-T ORIGINAL ROHS | PC300TWRG4B-3C-T.pdf | ||
CAT28C256D-20 | CAT28C256D-20 CSI DIP | CAT28C256D-20.pdf | ||
RUDH-SH-112D | RUDH-SH-112D GOODSKY DIP-SOP | RUDH-SH-112D.pdf |