창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN30H14DLY-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN30H14DLY | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 210mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14옴 @ 300mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 96pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-89 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN30H14DLY-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN30H14DLY-13 | |
| 관련 링크 | DMN30H14, DMN30H14DLY-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TPSMA7.5AHE3_A/I | TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMA | TPSMA7.5AHE3_A/I.pdf | |
![]() | MOX-4N-131505FE | RES 15M OHM 5W 1% AXIAL | MOX-4N-131505FE.pdf | |
| RSMF1JB360R | RES MO 1W 360 OHM 5% AXIAL | RSMF1JB360R.pdf | ||
| RSMF3FBR200 | RES METAL OX 3W 0.2 OHM 1% AXL | RSMF3FBR200.pdf | ||
![]() | TNETD6072DGN | TNETD6072DGN TI MSOP8 | TNETD6072DGN.pdf | |
![]() | LCL7665ACPA | LCL7665ACPA NULL NULL | LCL7665ACPA.pdf | |
![]() | ADG528FBP/AKP | ADG528FBP/AKP AD PLCC | ADG528FBP/AKP.pdf | |
![]() | 6.8UF25V-A | 6.8UF25V-A AVX SMD or Through Hole | 6.8UF25V-A.pdf | |
![]() | PSB50810ELV1.2-G | PSB50810ELV1.2-G INFINEON BGA | PSB50810ELV1.2-G.pdf | |
![]() | ICS9DB206BLT | ICS9DB206BLT INTEGRATEDCIRCUITSYSTEMS ORIGINAL | ICS9DB206BLT.pdf | |
![]() | BA7626 | BA7626 ROHM DIP | BA7626.pdf | |
![]() | BZV55-C5V1(5.1V) | BZV55-C5V1(5.1V) PHILIPS SMD or Through Hole | BZV55-C5V1(5.1V).pdf |