창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3070SSN-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3070SSN | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 4.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 697pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 780mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SC-59 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3070SSN-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3070SSN-7 | |
관련 링크 | DMN3070, DMN3070SSN-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
RT1206BRC0711K8L | RES SMD 11.8K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC0711K8L.pdf | ||
MBA02040C1004FRP00 | RES 1M OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1004FRP00.pdf | ||
B39390B586X110 | B39390B586X110 epcos SMD or Through Hole | B39390B586X110.pdf | ||
MAX1488EEPD+ | MAX1488EEPD+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX1488EEPD+.pdf | ||
0402F105Z100CT | 0402F105Z100CT N/A SMD | 0402F105Z100CT.pdf | ||
GC115 | GC115 ORIGINAL CAN | GC115.pdf | ||
M32199 | M32199 MIT DIP | M32199.pdf | ||
UPSD3234-40U6 | UPSD3234-40U6 ST QFP | UPSD3234-40U6.pdf | ||
GS2GA | GS2GA HY/YJ SMA | GS2GA.pdf | ||
IS42S16800E-75EB | IS42S16800E-75EB ISSI FBGA | IS42S16800E-75EB.pdf | ||
ISL43841IRZ | ISL43841IRZ ISL Call | ISL43841IRZ.pdf | ||
MT3326N/B | MT3326N/B PHILIPS SMD or Through Hole | MT3326N/B.pdf |