창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3053L-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3053L | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 676pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 760mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN3053L-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3053L-7 | |
| 관련 링크 | DMN305, DMN3053L-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MAL214899225E3 | 220µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | MAL214899225E3.pdf | |
![]() | SIT3808AI-C2-18SB-74.2500Y | OSC XO 1.8V 74.25MHZ ST | SIT3808AI-C2-18SB-74.2500Y.pdf | |
![]() | 20021321-00014T4LF | 20021321-00014T4LF FCI CONNRECEPT14POSDU | 20021321-00014T4LF.pdf | |
![]() | SN74LV573ADBR | SN74LV573ADBR ORIGINAL SMD or Through Hole | SN74LV573ADBR .pdf | |
![]() | K6T1008C2E-RF55 | K6T1008C2E-RF55 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6T1008C2E-RF55.pdf | |
![]() | 2SA1235E-MC-13-29-27 | 2SA1235E-MC-13-29-27 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SA1235E-MC-13-29-27.pdf | |
![]() | L2B1099-020 | L2B1099-020 ORIGINAL SMD or Through Hole | L2B1099-020.pdf | |
![]() | AT56217-3 | AT56217-3 AT BGA | AT56217-3.pdf | |
![]() | MC3320L | MC3320L ON SOP-8 | MC3320L.pdf | |
![]() | 1843619 | 1843619 PHOENIXCONTACT ORIGINAL | 1843619.pdf | |
![]() | br-19.86 | br-19.86 kbe SMD or Through Hole | br-19.86.pdf | |
![]() | ER1D-L | ER1D-L MCC DO-214AA | ER1D-L.pdf |