창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3035LWN-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3035LWN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 4.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.9nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 399pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 770mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | V-DFN3020-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3035LWN-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3035LWN-7 | |
관련 링크 | DMN3035, DMN3035LWN-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
475CKR050M | 4.7µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 35.274 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 475CKR050M.pdf | ||
![]() | AA0603FR-0716R5L | RES SMD 16.5 OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-0716R5L.pdf | |
![]() | AT1206BRD07226RL | RES SMD 226 OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD07226RL.pdf | |
![]() | A110LR09A00GR | RF TXRX MOD ISM<1GHZ TRACE ANT | A110LR09A00GR.pdf | |
![]() | CF1/4LT52A 750J | CF1/4LT52A 750J AUK NA | CF1/4LT52A 750J.pdf | |
![]() | IRGP50B60PD/IRGP50B60PD1 | IRGP50B60PD/IRGP50B60PD1 IR TO-247 | IRGP50B60PD/IRGP50B60PD1.pdf | |
![]() | FXO-LC325R-125 | FXO-LC325R-125 ORIGINAL SMD or Through Hole | FXO-LC325R-125.pdf | |
![]() | NRS685M20R8 | NRS685M20R8 NEC SMD or Through Hole | NRS685M20R8.pdf | |
![]() | OPA4244UA | OPA4244UA BB SOP-8 | OPA4244UA.pdf | |
![]() | MB620119PF-G-BND | MB620119PF-G-BND FUJ QFP | MB620119PF-G-BND.pdf | |
![]() | 53398-0360 | 53398-0360 MOLEX SMD | 53398-0360.pdf | |
![]() | CR6561T | CR6561T Chip-Rall DIP8 | CR6561T.pdf |