창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3025LFG-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3025LFG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 7.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 605pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | DMN3025LFG-7TR DMN3025LFG7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3025LFG-7 | |
| 관련 링크 | DMN3025, DMN3025LFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602BI-72-33E-4.096000D | OSC XO 3.3V 4.096MHZ OE | SIT1602BI-72-33E-4.096000D.pdf | |
![]() | SIT8008AI-12-33E-2.0970000E | OSC XO 3.3V 2.097MHZ OE | SIT8008AI-12-33E-2.0970000E.pdf | |
![]() | RTQ020N05TR | MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 | RTQ020N05TR.pdf | |
![]() | 88705 | 88705 CM sop | 88705.pdf | |
![]() | MC840O | MC840O MOTOROLA DIP | MC840O.pdf | |
![]() | ECN30225DR | ECN30225DR HITACHI ZIP | ECN30225DR.pdf | |
![]() | RG-H2S15W | RG-H2S15W RGH SMD or Through Hole | RG-H2S15W.pdf | |
![]() | P14TG-2415Z4:1MLF | P14TG-2415Z4:1MLF PEAK SMD or Through Hole | P14TG-2415Z4:1MLF.pdf | |
![]() | HC-256C | HC-256C SANYO DIP | HC-256C.pdf | |
![]() | SFE52210 | SFE52210 ORIGINAL QFN | SFE52210.pdf | |
![]() | NC7808CT | NC7808CT MOTOROLA TO-220 | NC7808CT.pdf | |
![]() | MCR25 JZH J392 | MCR25 JZH J392 ROHM SMD or Through Hole | MCR25 JZH J392.pdf |