창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3016LPS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3016LPS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1415pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.18W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerDI5060-8 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN3016LPS-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3016LPS-13 | |
관련 링크 | DMN3016, DMN3016LPS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | KHD251E104M43A0B00 | 0.10µF 250V 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사 0.256" L x 0.138" W(6.50mm x 3.50mm) | KHD251E104M43A0B00.pdf | |
![]() | F54LS55DMQB | F54LS55DMQB ORIGINAL DIP-14 | F54LS55DMQB.pdf | |
![]() | 25020N.si2.7 | 25020N.si2.7 ATMEL SOP | 25020N.si2.7.pdf | |
![]() | DC4-16P | DC4-16P DDK SMD or Through Hole | DC4-16P.pdf | |
![]() | HPI-14262 | HPI-14262 KODENSHI ROHS | HPI-14262.pdf | |
![]() | TDA85660 | TDA85660 PH ZIP | TDA85660.pdf | |
![]() | RLZ16C(16V) | RLZ16C(16V) ROHM SMD or Through Hole | RLZ16C(16V).pdf | |
![]() | BAT6806E6327 | BAT6806E6327 sie 3000 tr sot | BAT6806E6327.pdf | |
![]() | 3SK238/XW | 3SK238/XW HITACHI SMD or Through Hole | 3SK238/XW.pdf | |
![]() | AN5715 | AN5715 Panasonic DIP | AN5715.pdf | |
![]() | KMM366S823CTS-GL | KMM366S823CTS-GL Samsung Tray | KMM366S823CTS-GL.pdf | |
![]() | MOF2WS330K5%T81 | MOF2WS330K5%T81 CCOHM SMD or Through Hole | MOF2WS330K5%T81.pdf |