창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3010LSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3010LSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2096pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3010LSS-13 | |
| 관련 링크 | DMN3010, DMN3010LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RSS090P03FU6TB | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC | RSS090P03FU6TB.pdf | |
![]() | 3090-103K | 10µH Unshielded Inductor 120mA 5 Ohm Max Nonstandard | 3090-103K.pdf | |
![]() | RLP73M2AR051JTD | RES SMD 0.051 OHM 5% 1/4W 0805 | RLP73M2AR051JTD.pdf | |
![]() | M4LV-128/64-7YC-10YI | M4LV-128/64-7YC-10YI AMD PQFP | M4LV-128/64-7YC-10YI.pdf | |
![]() | DF11-14DS-2DSA | DF11-14DS-2DSA HIROSE SMD or Through Hole | DF11-14DS-2DSA.pdf | |
![]() | HM0096553 | HM0096553 BI SMD or Through Hole | HM0096553.pdf | |
![]() | RD6.8S-T1(B2) | RD6.8S-T1(B2) NEC SMD or Through Hole | RD6.8S-T1(B2).pdf | |
![]() | FFF50R06KL2 | FFF50R06KL2 ORIGINAL SMD or Through Hole | FFF50R06KL2.pdf | |
![]() | LSA0024 | LSA0024 LSI QFP160 | LSA0024.pdf | |
![]() | M33035DW | M33035DW ON SOP-8 | M33035DW.pdf | |
![]() | NAWU470M25V6.3X8LBF | NAWU470M25V6.3X8LBF NICCOMP SMD | NAWU470M25V6.3X8LBF.pdf |