창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3010LFG-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3010LFG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2075pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | DMN3010LFG-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3010LFG-7 | |
| 관련 링크 | DMN3010, DMN3010LFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CC0603KRX7R0BB472 | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603KRX7R0BB472.pdf | |
![]() | SFR2500003742FR500 | RES 37.4K OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500003742FR500.pdf | |
![]() | RNF12FTD590R | RES 590 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD590R.pdf | |
![]() | LE82Q33/SLAEW | LE82Q33/SLAEW INTEL SMD or Through Hole | LE82Q33/SLAEW.pdf | |
![]() | 2SB734-L2/K3/K4/U4/U5 | 2SB734-L2/K3/K4/U4/U5 NEC TO-92F | 2SB734-L2/K3/K4/U4/U5.pdf | |
![]() | RLZ TE11 20B | RLZ TE11 20B ROHM LL34 | RLZ TE11 20B.pdf | |
![]() | T3200 | T3200 INTEL BGA | T3200.pdf | |
![]() | MT9T012 | MT9T012 MICROM SMD or Through Hole | MT9T012.pdf | |
![]() | BSP230,135 | BSP230,135 NXP SMD or Through Hole | BSP230,135.pdf | |
![]() | FQT4N20 | FQT4N20 ORIGINAL SOT-223 | FQT4N20 .pdf | |
![]() | EE2-9SNUX | EE2-9SNUX NEC SMD or Through Hole | EE2-9SNUX.pdf | |
![]() | ZN3PD-900W | ZN3PD-900W MINI SMD or Through Hole | ZN3PD-900W.pdf |