Diodes Incorporated DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13
제조업체 부품 번호
DMN3010LFG-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
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내부 부품 번호EIS-DMN3010LFG-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMN3010LFG
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11A(Ta), 30A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.5m옴 @ 18A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs37nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2075pF @ 15V
전력 - 최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력WDFN
공급 장치 패키지PowerDI3333-8
표준 포장 3,000
다른 이름DMN3010LFG-13DI
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMN3010LFG-13
관련 링크DMN3010, DMN3010LFG-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMN3010LFG-13 의 관련 제품
44MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F44033IAR.pdf
RES SMD 432 OHM 1% 1/16W 0402 RC0402FR-07432RL.pdf
RES SMD 2 OHM 1% 25W DPAK PWR163S-25-2R00FE.pdf
HY25L256160AC-7.5 INFINEON TSOP HY25L256160AC-7.5.pdf
W2168 NS CAN3 W2168.pdf
HR30-300 RUILON DIP HR30-300.pdf
OSA-SS-112DM OEG DIP OSA-SS-112DM.pdf
LP3874ES-3.3NOPB NS 5TO263 LP3874ES-3.3NOPB.pdf
TCSCN1C475MCAR SAM SMD or Through Hole TCSCN1C475MCAR.pdf
TORX177L(F) TOSHIBA SMD or Through Hole TORX177L(F).pdf
EKMH350VNN332MP25T UCC SMD or Through Hole EKMH350VNN332MP25T.pdf