창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2990UFZ-7B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN2990UFZ | |
주요제품 | DFN0606 Mini MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 990m옴 @ 100mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 55.2pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 320mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DMN2990UFZ-7BDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN2990UFZ-7B | |
관련 링크 | DMN2990, DMN2990UFZ-7B 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | B32922C3223M289 | 0.022µF Film Capacitor 305V Polypropylene (PP) Radial | B32922C3223M289.pdf | |
![]() | NGTB50N60FWG | IGBT 600V 100A 223W TO247 | NGTB50N60FWG.pdf | |
![]() | 3362U-1-682RLF | 6.8k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3362U-1-682RLF.pdf | |
![]() | SCRH125B-561 | 560µH Shielded Inductor 740mA 1 Ohm Max Nonstandard | SCRH125B-561.pdf | |
![]() | SAS100S110AD | SS TIMR ON DLY, 100S, 110VAC/DC | SAS100S110AD.pdf | |
![]() | 3100 00430436 | THERMOSTAT | 3100 00430436.pdf | |
![]() | UPC2350 | UPC2350 NEC DIP | UPC2350.pdf | |
![]() | IC-PST9018NR/1817 | IC-PST9018NR/1817 ORIGINAL SOT-153 | IC-PST9018NR/1817.pdf | |
![]() | NDB410A | NDB410A NS TO-263 | NDB410A.pdf | |
![]() | G6BK-2214P-US 5VDC | G6BK-2214P-US 5VDC OMRON SMD or Through Hole | G6BK-2214P-US 5VDC.pdf | |
![]() | MTD5N10T4 | MTD5N10T4 ON SOT252 | MTD5N10T4.pdf | |
![]() | S77P0-H4MY | S77P0-H4MY ORIGINAL DIP-22L | S77P0-H4MY.pdf |