창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN2028USS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN2028USS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 9.4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN2028USS-13DITR DMN2028USS13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN2028USS-13 | |
| 관련 링크 | DMN2028, DMN2028USS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MBRB20100CT | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263 | MBRB20100CT.pdf | |
![]() | ERJ-L14UJ89MU | RES SMD 0.089 OHM 5% 1/3W 1210 | ERJ-L14UJ89MU.pdf | |
![]() | CPL15R1000FB14 | RES 0.1 OHM 15W 1% AXIAL | CPL15R1000FB14.pdf | |
![]() | 1C12CWD | 1C12CWD ALEPA DIP | 1C12CWD.pdf | |
![]() | 2EZ7.5D5 7.5V | 2EZ7.5D5 7.5V EIC SMD or Through Hole | 2EZ7.5D5 7.5V.pdf | |
![]() | MCLL2600 | MCLL2600 ORIGINAL DIP | MCLL2600.pdf | |
![]() | R65C52P2E | R65C52P2E ROCKWELL DIP | R65C52P2E.pdf | |
![]() | X9C104T1 | X9C104T1 XICOR SOIC-8 | X9C104T1.pdf | |
![]() | MMSZ5V6B | MMSZ5V6B ORIGINAL SOD-123 | MMSZ5V6B.pdf | |
![]() | FA4105 | FA4105 HI SIP | FA4105.pdf | |
![]() | HD74HC668P | HD74HC668P HIT DIP16P | HD74HC668P.pdf | |
![]() | LMH6732MF NOPB | LMH6732MF NOPB NS SMD or Through Hole | LMH6732MF NOPB.pdf |