창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2016UTS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN2016UTS | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.58A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 9.4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1495pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 880mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-TSSOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN2016UTS-13DITR DMN2016UTS13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN2016UTS-13 | |
관련 링크 | DMN2016, DMN2016UTS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
MCM6288CP20 | MCM6288CP20 MOT DIP | MCM6288CP20.pdf | ||
DDC8166-1 | DDC8166-1 ORIGINAL CAN | DDC8166-1.pdf | ||
RZB1-4.7K | RZB1-4.7K ORIGINAL SMD or Through Hole | RZB1-4.7K.pdf | ||
SLF12565T-101M | SLF12565T-101M TDK SMD or Through Hole | SLF12565T-101M.pdf | ||
N80C51AF-1 | N80C51AF-1 intel DIP | N80C51AF-1.pdf | ||
CKG57DX5R2A685MT | CKG57DX5R2A685MT TDK SMD or Through Hole | CKG57DX5R2A685MT.pdf | ||
SGC-2363ZSR | SGC-2363ZSR RFMD SMD or Through Hole | SGC-2363ZSR.pdf | ||
CY62128BLL-70SXZ | CY62128BLL-70SXZ CY SMD | CY62128BLL-70SXZ.pdf | ||
LTKG TEL:82766440 | LTKG TEL:82766440 LT SOT23-5 | LTKG TEL:82766440.pdf | ||
UPD703107GJ021-UEN | UPD703107GJ021-UEN NEC QFP | UPD703107GJ021-UEN.pdf | ||
TMP87PH46NG(ZM) | TMP87PH46NG(ZM) TOSHIBA SMD or Through Hole | TMP87PH46NG(ZM).pdf | ||
ESD5Z5.0ST1G | ESD5Z5.0ST1G ON SOD-523 | ESD5Z5.0ST1G.pdf |