창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2004K-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN2004K | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 630mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 540mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 350mW | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN2004K7 DMN2004KDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN2004K-7 | |
관련 링크 | DMN200, DMN2004K-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
MEA2010PE400T001 | LC EMI Filter 2nd Order Low Pass 4 Channel C = 40pF 100mA 0804 (2010 Metric), Array, 10 PC Pad | MEA2010PE400T001.pdf | ||
DR1050-120-R | 12µH Shielded Wirewound Inductor 3.94A 30.4 mOhm Max Nonstandard | DR1050-120-R.pdf | ||
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TD2002P | TD2002P TOSHIBA DIP | TD2002P.pdf | ||
BZG05C100-TR | BZG05C100-TR VISHAY DO-214AC | BZG05C100-TR.pdf | ||
RD1C688M1631M | RD1C688M1631M SAMWH DIP | RD1C688M1631M.pdf | ||
5326-10971 | 5326-10971 MOLEX SMD or Through Hole | 5326-10971.pdf | ||
A6843SEP | A6843SEP ALLEGRO PLCC | A6843SEP.pdf | ||
CMZ150 | CMZ150 TOSHIBA D0-214AC(SOD-106) | CMZ150.pdf | ||
19-337/R6GHBHC-C02/2T | 19-337/R6GHBHC-C02/2T EVERLIGHT SMD or Through Hole | 19-337/R6GHBHC-C02/2T.pdf | ||
LT1019IN8 2.5 | LT1019IN8 2.5 LT SMD or Through Hole | LT1019IN8 2.5.pdf |