창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN10H220LVT-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN10H220LVT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.87A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 1.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 401pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.67W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DMN10H220LVT-13DI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN10H220LVT-13 | |
| 관련 링크 | DMN10H220, DMN10H220LVT-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C3225C0G2J682J200AA | 6800pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225C0G2J682J200AA.pdf | |
![]() | CMF60464R00FKR6 | RES 464 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60464R00FKR6.pdf | |
![]() | MB625322PF-G-BND | MB625322PF-G-BND FUJITSU QFP | MB625322PF-G-BND.pdf | |
![]() | CESEM1H470-F22 | CESEM1H470-F22 n/a NULL | CESEM1H470-F22.pdf | |
![]() | SS-43D11 | SS-43D11 DSL SMD or Through Hole | SS-43D11.pdf | |
![]() | TE11256-20K | TE11256-20K TE DIP-28 | TE11256-20K.pdf | |
![]() | TFL0816-27N | TFL0816-27N ORIGINAL SMD | TFL0816-27N.pdf | |
![]() | LP5526TLX/NOPB | LP5526TLX/NOPB NS SO | LP5526TLX/NOPB.pdf | |
![]() | D2524K3FCS | D2524K3FCS ORIGINAL SMD or Through Hole | D2524K3FCS.pdf | |
![]() | SAF1005 100FPM | SAF1005 100FPM ORIGINAL SMD or Through Hole | SAF1005 100FPM.pdf | |
![]() | ISL59830IA | ISL59830IA INTERSIL QSOP-16 | ISL59830IA.pdf |