창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN10H220LVT-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN10H220LVT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.87A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 401pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.67W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DMN10H220LVT-13DI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN10H220LVT-13 | |
관련 링크 | DMN10H220, DMN10H220LVT-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | HD4850S | RELAY SSR 530VAC/50A DC | HD4850S.pdf | |
![]() | TE2000B2R7J | RES CHAS MNT 2.7 OHM 5% 2000W | TE2000B2R7J.pdf | |
![]() | H416K9BYA | RES 16.9K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H416K9BYA.pdf | |
![]() | 0029-33 | 0029-33 ORIGINAL TO-89 | 0029-33.pdf | |
![]() | 227169-7 | 227169-7 TYCO con | 227169-7.pdf | |
![]() | PSB21911N V5.2 | PSB21911N V5.2 SIEMENS PLCC | PSB21911N V5.2.pdf | |
![]() | 65780-053 | 65780-053 DUPONT SMD or Through Hole | 65780-053.pdf | |
![]() | KDE2412PMV1 13.MS.A.GN | KDE2412PMV1 13.MS.A.GN SUNON SMD or Through Hole | KDE2412PMV1 13.MS.A.GN.pdf | |
![]() | MAX629-SOP ESA | MAX629-SOP ESA ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX629-SOP ESA.pdf | |
![]() | MAX6367LKA31-T | MAX6367LKA31-T MAX SMD or Through Hole | MAX6367LKA31-T.pdf | |
![]() | K7R643684M-EI25000 | K7R643684M-EI25000 SAMSUNG BGA165 | K7R643684M-EI25000.pdf | |
![]() | 82543140 | 82543140 WE SMD | 82543140.pdf |