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Diodes Incorporated DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3
제조업체 부품 번호
DMJ70H1D3SJ3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH TO251
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내부 부품 번호EIS-DMJ70H1D3SJ3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 75
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)700V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.6A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.3옴 @ 2.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs13.9nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds351pF @ 50V
전력 - 최대41W
작동 온도-55°C ~ 155°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지TO-251
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMJ70H1D3SJ3
관련 링크DMJ70H1, DMJ70H1D3SJ3 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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