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Diodes Incorporated DMG9N65CTI

DMG9N65CTI
제조업체 부품 번호
DMG9N65CTI
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
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내부 부품 번호EIS-DMG9N65CTI
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMG9N65CTI
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.3옴 @ 4.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs39nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2310pF @ 25V
전력 - 최대13W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭
공급 장치 패키지ITO-220AB
표준 포장 50
다른 이름DMG9N65CTIDI
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMG9N65CTI
관련 링크DMG9N6, DMG9N65CTI 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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