창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG6402LVT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMG6402LVT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 498pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMG6402LVT-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMG6402LVT-7 | |
관련 링크 | DMG6402, DMG6402LVT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
SWG150-05-C | AC/DC CONVERTER 5V 150W | SWG150-05-C.pdf | ||
CRCW201010R7FKTF | RES SMD 10.7 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201010R7FKTF.pdf | ||
RT1206CRE0722R1L | RES SMD 22.1 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE0722R1L.pdf | ||
D41221C-70 | D41221C-70 NEC DIP-14 | D41221C-70.pdf | ||
AP4558AM-E3 | AP4558AM-E3 ORIGINAL SOP-8 | AP4558AM-E3.pdf | ||
C2012X7R1H683KT000N | C2012X7R1H683KT000N TDK SMD or Through Hole | C2012X7R1H683KT000N.pdf | ||
LB1650E | LB1650E SANYO DIP16 | LB1650E.pdf | ||
CLIP-HJ-H7 | CLIP-HJ-H7 HUEYJANNELECTRON SMD or Through Hole | CLIP-HJ-H7.pdf | ||
NNCD8.2C-T1-AT | NNCD8.2C-T1-AT Renesas SC-76 | NNCD8.2C-T1-AT.pdf | ||
MDP16-01-183G | MDP16-01-183G VISHAY/DALE SMD or Through Hole | MDP16-01-183G.pdf | ||
MAP34-464 | MAP34-464 ORIGINAL BGA | MAP34-464.pdf | ||
936PC | 936PC F SMD or Through Hole | 936PC.pdf |