Diodes Incorporated DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7
제조업체 부품 번호
DMG5802LFX-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
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DMG5802LFX-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMG5802LFX-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMG5802LFX
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 11/Nov/2011
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 공통 드레인
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)24V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs15m옴 @ 6.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs31.3nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1066.4pF @ 15V
전력 - 최대980mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-VFDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-DFN5020(5x2)
표준 포장 3,000
다른 이름DMG5802LFX-7DITR
DMG5802LFX7
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMG5802LFX-7
관련 링크DMG5802, DMG5802LFX-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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