창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG4468LK3-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMG4468LK3 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 11.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.95V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 867pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.68W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMG4468LK3-13DITR DMG4468LK313 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMG4468LK3-13 | |
관련 링크 | DMG4468, DMG4468LK3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 90J1R5E | RES 1.5 OHM 11W 5% AXIAL | 90J1R5E.pdf | |
![]() | TC3808EDE | TC3808EDE LINEAR DFN | TC3808EDE.pdf | |
![]() | JW150T1(J0001) | JW150T1(J0001) MDC SMD or Through Hole | JW150T1(J0001).pdf | |
![]() | BD6089GU-E2 | BD6089GU-E2 Pb BGA | BD6089GU-E2.pdf | |
![]() | AIC810-29CU | AIC810-29CU AIC- SOT23-3 | AIC810-29CU.pdf | |
![]() | ZM4764/100V | ZM4764/100V ST/VISHAY LL41 | ZM4764/100V.pdf | |
![]() | TB2904 | TB2904 TOSHIBA ZIP | TB2904.pdf | |
![]() | AVL18K05400 | AVL18K05400 AMOTECH 08054K | AVL18K05400.pdf | |
![]() | NPC102AP | NPC102AP BB DIP-14 | NPC102AP.pdf | |
![]() | AB-24.576MHZ-20F-L | AB-24.576MHZ-20F-L abracon SMD or Through Hole | AB-24.576MHZ-20F-L.pdf | |
![]() | K5E1213ACC-A060 | K5E1213ACC-A060 SAMSUNG BGA | K5E1213ACC-A060.pdf |