창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG4413LSS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMG4413LSS | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1573 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4965pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMG4413LSS-13DITR DMG4413LSS13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMG4413LSS-13 | |
관련 링크 | DMG4413, DMG4413LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 31GF6-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | 31GF6-E3/73.pdf | |
![]() | CRCW04021R78FNTD | RES SMD 1.78 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04021R78FNTD.pdf | |
![]() | HDM14JT1K50 | RES 1.5K OHM 1/4W 5% AXIAL | HDM14JT1K50.pdf | |
![]() | DX-4001AKW | DX-4001AKW ORIGINAL SMD or Through Hole | DX-4001AKW.pdf | |
![]() | M1161B22MQFP-64-1 | M1161B22MQFP-64-1 INFINEON QFP | M1161B22MQFP-64-1.pdf | |
![]() | D65625GF025 | D65625GF025 SAGEM QFP | D65625GF025.pdf | |
![]() | U25D35D | U25D35D MOP TO-3P | U25D35D.pdf | |
![]() | P825306 | P825306 INTEL SMD or Through Hole | P825306.pdf | |
![]() | HSSF1000 | HSSF1000 HOPERF SMD or Through Hole | HSSF1000.pdf | |
![]() | 74LVC1G18GW.125 | 74LVC1G18GW.125 NXP SOT | 74LVC1G18GW.125.pdf | |
![]() | BU3067FV | BU3067FV ROHM SSOP-B16 | BU3067FV.pdf | |
![]() | 93LCS661SL | 93LCS661SL MICROCHIP SOP14 | 93LCS661SL.pdf |