창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG3418L-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMG3418L | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 464.3pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMG3418L-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMG3418L-7 | |
관련 링크 | DMG341, DMG3418L-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
P6KE6.8A-E3/73 | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO204AC | P6KE6.8A-E3/73.pdf | ||
NEC75P0016 | NEC75P0016 NEC QFP | NEC75P0016.pdf | ||
4304SZM-390TO | 4304SZM-390TO ORIGINAL SMD or Through Hole | 4304SZM-390TO.pdf | ||
RA-12W-OH-K | RA-12W-OH-K ORIGINAL SMD or Through Hole | RA-12W-OH-K.pdf | ||
H3140AM | H3140AM ORIGINAL SOP8 | H3140AM.pdf | ||
WINSTORSVR2008BASIC64BITP1 | WINSTORSVR2008BASIC64BITP1 Microsoft SMD or Through Hole | WINSTORSVR2008BASIC64BITP1.pdf | ||
LNG102416 | LNG102416 ndk SMD or Through Hole | LNG102416.pdf | ||
TC1055-2.5VCT713 | TC1055-2.5VCT713 MICROCHIP SOT23-5 | TC1055-2.5VCT713.pdf | ||
ILC7010AIC526X_NL | ILC7010AIC526X_NL FAIRCHILD SC70-5 | ILC7010AIC526X_NL.pdf | ||
G4Q-212S 220V | G4Q-212S 220V OMRON SMD or Through Hole | G4Q-212S 220V.pdf | ||
CL55C102JKJNNN | CL55C102JKJNNN SAMSUNG SMD | CL55C102JKJNNN.pdf |