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Diodes Incorporated DMG1016VQ-13

DMG1016VQ-13
제조업체 부품 번호
DMG1016VQ-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
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DMG1016VQ-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMG1016VQ-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMG1016VQ
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C870mA, 640mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs400m옴 @ 600mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.74nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds60.67pF @ 16V
전력 - 최대530mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-563
표준 포장 10,000
다른 이름DMG1016VQ-13DI
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMG1016VQ-13
관련 링크DMG1016, DMG1016VQ-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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