창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMC3032LSD-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMC3032LSD | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.1A, 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 404.5pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMC3032LSD-13DI DMC3032LSD-13DI-ND DMC3032LSD-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMC3032LSD-13 | |
| 관련 링크 | DMC3032, DMC3032LSD-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MP1-3H-3H-1D-03 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP1-3H-3H-1D-03.pdf | |
![]() | PESD5V0S1BL-315 | PESD5V0S1BL-315 NXP SMD or Through Hole | PESD5V0S1BL-315.pdf | |
![]() | PSB2110P | PSB2110P SIEMENS DIP | PSB2110P.pdf | |
![]() | BB0603X7R154 | BB0603X7R154 Mini NA | BB0603X7R154.pdf | |
![]() | 293D476X0006C2T | 293D476X0006C2T SPRAGUE SMD or Through Hole | 293D476X0006C2T.pdf | |
![]() | HAT2022RJ_ | HAT2022RJ_ INT TO-263 | HAT2022RJ_.pdf | |
![]() | HAL20L10CNS | HAL20L10CNS AMD DIP24 | HAL20L10CNS.pdf | |
![]() | BF770AE-632 | BF770AE-632 INFINEON SMD or Through Hole | BF770AE-632.pdf | |
![]() | 2SC3837KT146Q | 2SC3837KT146Q ROHM SOT-23 | 2SC3837KT146Q.pdf | |
![]() | FDC658 | FDC658 FAIRCHILD SOT23-6 | FDC658.pdf | |
![]() | SKKH106-16 | SKKH106-16 SEK SMD or Through Hole | SKKH106-16.pdf |