창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMC25D0UVT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMC25D0UVT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V, 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 400mA, 3.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 400mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.7nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 26.2pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMC25D0UVT-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMC25D0UVT-7 | |
| 관련 링크 | DMC25D0, DMC25D0UVT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 2510-36J | 3.3µH Unshielded Inductor 187mA 1.35 Ohm Max 2-SMD | 2510-36J.pdf | |
![]() | YC324-FK-071K07L | RES ARRAY 4 RES 1.07K OHM 2012 | YC324-FK-071K07L.pdf | |
![]() | CMF5547R000JKEB | RES 47 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF5547R000JKEB.pdf | |
![]() | MT58L256L36DS-7.5A | MT58L256L36DS-7.5A MT QFP | MT58L256L36DS-7.5A.pdf | |
![]() | CMD0049 | CMD0049 CMD SSOP16 | CMD0049.pdf | |
![]() | FHT2712-E | FHT2712-E FH SOT-23 | FHT2712-E.pdf | |
![]() | SPT0305A-6R8J-VPF | SPT0305A-6R8J-VPF ORIGINAL SMD or Through Hole | SPT0305A-6R8J-VPF.pdf | |
![]() | LXZVB100050BF | LXZVB100050BF ECC/UCCKONDENSATO SMD or Through Hole | LXZVB100050BF.pdf | |
![]() | RLB-6.3V222MJ6 | RLB-6.3V222MJ6 ELNA DIP-2 | RLB-6.3V222MJ6.pdf | |
![]() | 224/100V | 224/100V ORIGINAL SMD or Through Hole | 224/100V.pdf | |
![]() | A1695 C4468 | A1695 C4468 ORIGINAL NA | A1695 C4468.pdf |