창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DLR1S68K-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DLR Type | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 필름 커패시터 | |
제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
계열 | DLR | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 0.068µF | |
허용 오차 | ±10% | |
정격 전압 - AC | 63V | |
정격 전압 - DC | 100V | |
유전체 소재 | 폴리에스테르 | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 0.413" L x 0.236" W(10.50mm x 6.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.492"(12.50mm) | |
종단 | PC 핀 | |
리드 간격 | 0.276"(7.00mm) | |
응용 제품 | 범용 | |
특징 | - | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DLR1S68K-F | |
관련 링크 | DLR1S6, DLR1S68K-F 데이터 시트, Cornell Dubilier Electronics (CDE) 에이전트 유통 |
VS-20ETS12STRR-M3 | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB | VS-20ETS12STRR-M3.pdf | ||
B78148S1472K9 | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 820mA 340 mOhm Max Radial | B78148S1472K9.pdf | ||
RG2012N-2100-W-T1 | RES SMD 210 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-2100-W-T1.pdf | ||
DSAZR1-282M | DSAZR1-282M MIT SMD or Through Hole | DSAZR1-282M.pdf | ||
C2012CH2A102J | C2012CH2A102J TDK SMD or Through Hole | C2012CH2A102J.pdf | ||
MD2147H--3/B | MD2147H--3/B INELL SMD or Through Hole | MD2147H--3/B.pdf | ||
EL5252IY-T7 | EL5252IY-T7 Intersil MSOP-10 | EL5252IY-T7.pdf | ||
LTC4300-2CMS8#TRPBF | LTC4300-2CMS8#TRPBF LINER SOP-8 | LTC4300-2CMS8#TRPBF.pdf | ||
CBB61-2.5uF/450V | CBB61-2.5uF/450V ORIGINAL SMD or Through Hole | CBB61-2.5uF/450V.pdf | ||
OV9650-D | OV9650-D ORIGINAL SMD or Through Hole | OV9650-D.pdf | ||
LM3S1165-IQC50-A2T | LM3S1165-IQC50-A2T TI SMD or Through Hole | LM3S1165-IQC50-A2T.pdf |