창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF5A6.2JE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF5A6.2JE | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 4 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 3V | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 55pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-553 | |
공급 장치 패키지 | ESV | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | DF5A6.2JE(TE85LF)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF5A6.2JE(TE85L,F) | |
관련 링크 | DF5A6.2JE(, DF5A6.2JE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
BS000058BE10236AV1 | 1000pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 | BS000058BE10236AV1.pdf | ||
BZX55B16-TR | DIODE ZENER 16V 500MW DO35 | BZX55B16-TR.pdf | ||
ILBB0402ER600V | 60 Ohm Impedance Ferrite Bead 0402 (1005 Metric) Surface Mount 300mA 1 Lines 300 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | ILBB0402ER600V.pdf | ||
TNPW1206154RBEEA | RES SMD 154 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206154RBEEA.pdf | ||
Y00242K29000V0L | RES 2.29K OHM 0.3W 0.005% RADIAL | Y00242K29000V0L.pdf | ||
10*12-33UH | 10*12-33UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 10*12-33UH.pdf | ||
NEDIS101 | NEDIS101 ORIGINAL SMD or Through Hole | NEDIS101.pdf | ||
PCM3793ARHB | PCM3793ARHB ORIGINAL SMD or Through Hole | PCM3793ARHB.pdf | ||
T396L337K006AS | T396L337K006AS KEMET DIP | T396L337K006AS.pdf | ||
140925-BDR | 140925-BDR ORIGINAL SMD or Through Hole | 140925-BDR.pdf | ||
2SD498 | 2SD498 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD498.pdf | ||
13N60ES | 13N60ES FUJI TFP | 13N60ES.pdf |