창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2S8.2CT,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2S8.2CT | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 6.5V | |
전압 - 항복(최소) | 7.7V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 20pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2S8.2CT(TPL3) DF2S8.2CT(TPL3)TR DF2S8.2CT(TPL3)TR-ND DF2S8.2CT,L3F(B DF2S8.2CT,L3F(T DF2S8.2CTL3F(BTR DF2S8.2CTL3F(BTR-ND DF2S8.2CTL3FTR DF2S8.2CTTPL3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2S8.2CT,L3F | |
관련 링크 | DF2S8.2, DF2S8.2CT,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | URZ1A101MDD | 100µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | URZ1A101MDD.pdf | |
![]() | WKO101KCPCRBKR | 100pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5S 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | WKO101KCPCRBKR.pdf | |
![]() | RT1210WRB075K1L | RES SMD 5.1K OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB075K1L.pdf | |
![]() | PWR2615W68R0JE | RES SMD 68 OHM 5% 1W 2615 | PWR2615W68R0JE.pdf | |
![]() | CRCW040262R0FKTD | RES SMD 62 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW040262R0FKTD.pdf | |
![]() | ATTNY26 | ATTNY26 AT DIPSOP | ATTNY26.pdf | |
![]() | C4532CH1H683JT | C4532CH1H683JT TDK SMD or Through Hole | C4532CH1H683JT.pdf | |
![]() | AT27C512R-30RC | AT27C512R-30RC ATMEL SOP | AT27C512R-30RC.pdf | |
![]() | S68A7531 | S68A7531 HB DIP24 | S68A7531.pdf | |
![]() | EEETB1V101P | EEETB1V101P PanasonicIndustrial SMD or Through Hole | EEETB1V101P.pdf | |
![]() | L7A1670 | L7A1670 LSI BGA596 | L7A1670.pdf | |
![]() | ICM7555ID / 01 | ICM7555ID / 01 NXP SOP-8 | ICM7555ID / 01.pdf |