창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2S8.2ASL,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Semiconductor General Cat. 2015 DF2S8.2ASL | |
주요제품 | ESD Protection TVS Diodes USB Type-C Data MUX and Power Delivery Switches Low Power Discrete Semiconductors for the Internet of Things (IoT) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 6.5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 7.7V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 20pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 무연 | |
공급 장치 패키지 | SL2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2S8.2ASL,L3F(B DF2S8.2ASL,L3F(T DF2S8.2ASLL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2S8.2ASL,L3F | |
관련 링크 | DF2S8.2A, DF2S8.2ASL,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 445C32B16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C32B16M00000.pdf | |
![]() | 445W3XH30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 32pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XH30M00000.pdf | |
![]() | DSEK60-06A | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247AD | DSEK60-06A.pdf | |
![]() | 4420P-T01-122 | RES ARRAY 10 RES 1.2K OHM 20SOIC | 4420P-T01-122.pdf | |
![]() | ISL21007CFB820Z | ISL21007CFB820Z INTERSIL SOIC-8 | ISL21007CFB820Z.pdf | |
![]() | C5028223K | C5028223K NEC TQFP | C5028223K.pdf | |
![]() | 4114R-R2R-RCLF | 4114R-R2R-RCLF BOURNS SMD or Through Hole | 4114R-R2R-RCLF.pdf | |
![]() | 629012CLC5 | 629012CLC5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 629012CLC5.pdf | |
![]() | EEE1HA220WAP | EEE1HA220WAP Panasonic SMD or Through Hole | EEE1HA220WAP.pdf | |
![]() | U3525 | U3525 UTC DIP16 | U3525.pdf | |
![]() | A52HA0.4A-B | A52HA0.4A-B ORIGINAL SMD or Through Hole | A52HA0.4A-B.pdf | |
![]() | MB87J2010 | MB87J2010 SIE BGA | MB87J2010.pdf |