창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2S6.2FS,L3M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2S6.2FS | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 32pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | fSC | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2S6.2FS(TPL3) DF2S6.2FS,L3M(B DF2S6.2FS,L3M(T DF2S6.2FSL3MTR DF2S6.2FSTPL3 DF2S6.2FSTPL3TR DF2S6.2FSTPL3TR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2S6.2FS,L3M | |
관련 링크 | DF2S6.2, DF2S6.2FS,L3M 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 595D475X9035B8T | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V 1611 (4028 Metric) 2.2 Ohm 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) | 595D475X9035B8T.pdf | |
![]() | SD103BWS-G3-18 | DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD323 | SD103BWS-G3-18.pdf | |
![]() | RE0805FRE07309KL | RES SMD 309K OHM 1% 1/8W 0805 | RE0805FRE07309KL.pdf | |
![]() | STM3800 | STM3800 STM sop | STM3800.pdf | |
![]() | SCDA3C0102 | SCDA3C0102 ALPS SMD or Through Hole | SCDA3C0102.pdf | |
![]() | 6116-100-SMD(UM6116M-2L)(USED) | 6116-100-SMD(UM6116M-2L)(USED) GCELECTRONICS SOP-8 | 6116-100-SMD(UM6116M-2L)(USED).pdf | |
![]() | HAT-13+ | HAT-13+ MINI SMD or Through Hole | HAT-13+.pdf | |
![]() | K4E151612CTL60 | K4E151612CTL60 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4E151612CTL60.pdf | |
![]() | VS83847A6. | VS83847A6. ORIGINAL BGA | VS83847A6..pdf | |
![]() | HE361B | HE361B CH SMD or Through Hole | HE361B.pdf | |
![]() | J-MZ107 | J-MZ107 J-LITE SMD or Through Hole | J-MZ107.pdf | |
![]() | CWR8027C-120N | CWR8027C-120N SAGAMI SMD | CWR8027C-120N.pdf |