창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2S6.2CT,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2S6.2CT | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 32pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2S6.2CT,L3F(B DF2S6.2CT,L3F(T DF2S6.2CTL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2S6.2CT,L3F | |
관련 링크 | DF2S6.2, DF2S6.2CT,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | T86D156M025EBAS | 15µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D156M025EBAS.pdf | |
![]() | CMT4545-128M | Unshielded 2 Coil Inductor Array 420µH Inductance - Connected in Series 100µH Inductance - Connected in Parallel 152 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 1.4A Nonstandard | CMT4545-128M.pdf | |
![]() | PE1206FRM7W0R009L | RES SMD 0.009 OHM 1% 1/2W 1206 | PE1206FRM7W0R009L.pdf | |
![]() | RT1210CRE07210RL | RES SMD 210 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE07210RL.pdf | |
![]() | AD904E/_+15V50MA | AD904E/_+15V50MA AD SMD or Through Hole | AD904E/_+15V50MA.pdf | |
![]() | AMD3202ARN | AMD3202ARN ANALOGDEV SMD or Through Hole | AMD3202ARN.pdf | |
![]() | 5BWD5V-F | 5BWD5V-F BIVAR DIP | 5BWD5V-F.pdf | |
![]() | ADP130AUJZ-0.8-R7 | ADP130AUJZ-0.8-R7 ADI SMD or Through Hole | ADP130AUJZ-0.8-R7.pdf | |
![]() | SMD-030-2018 | SMD-030-2018 RAYCHEM 2018 | SMD-030-2018.pdf | |
![]() | CF7399 | CF7399 ORIGINAL SMD or Through Hole | CF7399.pdf | |
![]() | HN98F1600R10 | HN98F1600R10 HITACHI TSOP56 | HN98F1600R10.pdf | |
![]() | NCV8871 | NCV8871 ON LFCSP-32 | NCV8871.pdf |