창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2S16CT,L3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2S16CT | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 12V | |
| 전압 - 항복(최소) | 15.3V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 10pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-882 | |
| 공급 장치 패키지 | CST2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DF2S16CT,L3F(B DF2S16CT,L3F(T DF2S16CTL3FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2S16CT,L3F | |
| 관련 링크 | DF2S16C, DF2S16CT,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 1812AA102JAT1A\COL | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812AA102JAT1A\COL.pdf | |
| ECS-400-20-33-TR | 40MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-400-20-33-TR.pdf | ||
![]() | ABM3C-18.432MHZ-B-4-Y-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3C-18.432MHZ-B-4-Y-T.pdf | |
![]() | AT0805CRD07523KL | RES SMD 523K OHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD07523KL.pdf | |
![]() | A3966SA. | A3966SA. ALLOGE DIP16 | A3966SA..pdf | |
![]() | E33.0000C | E33.0000C EPSON SOJ4 | E33.0000C.pdf | |
![]() | 83627THG-AS | 83627THG-AS Winbond QFP | 83627THG-AS.pdf | |
![]() | CDEP85NP-1R4M | CDEP85NP-1R4M SUMIDA SMD or Through Hole | CDEP85NP-1R4M.pdf | |
![]() | LT1512IS8#TRPBF | LT1512IS8#TRPBF LT SOP8 | LT1512IS8#TRPBF.pdf | |
![]() | TC511664BFTL-80 | TC511664BFTL-80 TOSHIBA TSOP40 | TC511664BFTL-80.pdf | |
![]() | LNJ412K82RA4 | LNJ412K82RA4 PANASONIC SMD or Through Hole | LNJ412K82RA4.pdf | |
![]() | CD75-271 | CD75-271 SERIES SMD or Through Hole | CD75-271.pdf |