창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2B6.8E,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2B6.8E | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 스티어링(레일 투 레일) | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 15pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | ESC | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | DF2B6.8E,L3F(A DF2B6.8E,L3F(B DF2B6.8EL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2B6.8E,L3F | |
관련 링크 | DF2B6.8, DF2B6.8E,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | GCJ43DR72J473KXJ1L | 0.047µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | GCJ43DR72J473KXJ1L.pdf | |
B82464P4104M | 100µH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 220 mOhm Max Nonstandard | B82464P4104M.pdf | ||
![]() | MKS2PI AC24 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 24VAC Coil Socketable | MKS2PI AC24.pdf | |
![]() | TD2800D | TD2800D AURORA BGA | TD2800D.pdf | |
![]() | MAX539BCSA+ | MAX539BCSA+ MAXIM SOP8 | MAX539BCSA+.pdf | |
![]() | EM639165TS-6G-/ | EM639165TS-6G-/ ETRON TSOP | EM639165TS-6G-/.pdf | |
![]() | UMH11 TEL:82766440 | UMH11 TEL:82766440 ROHM SOT363 | UMH11 TEL:82766440.pdf | |
![]() | RW2A475M10016 | RW2A475M10016 SAMWHA SMD or Through Hole | RW2A475M10016.pdf | |
![]() | PM6611-PI | PM6611-PI ORIGINAL BGA | PM6611-PI.pdf | |
![]() | STM1403ATNQ6F | STM1403ATNQ6F ST QFN-16 | STM1403ATNQ6F.pdf | |
![]() | 1193170000 | 1193170000 WDML SMD or Through Hole | 1193170000.pdf | |
![]() | MAX849ESE. | MAX849ESE. MAXIM SOP-16 | MAX849ESE..pdf |