홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DDTD122TU-7-F

Diodes Incorporated DDTD122TU-7-F

DDTD122TU-7-F
제조업체 부품 번호
DDTD122TU-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
데이터 시트 다운로드
다운로드
DDTD122TU-7-F 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 38.54823
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DDTD122TU-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DDTD122TU-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DDTD122TU-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DDTD122TU-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDTD122TU-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDTD122TU-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DDTD - LO-R1 - U
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)220
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SOT-323
표준 포장 3,000
다른 이름1034-DDTD122TU-FDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DDTD122TU-7-F
관련 링크DDTD122, DDTD122TU-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DDTD122TU-7-F 의 관련 제품
1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) 1206AC102KAT1A.pdf
M5-128/68-15YC-20YI LATTICE QFP M5-128/68-15YC-20YI.pdf
TBA231A SGS DIP TBA231A.pdf
TC9417.1 TAIWAN SOP TC9417.1.pdf
93145/54145DMF N/A DIP-16 93145/54145DMF.pdf
PSB2156N V1.1 SIE PLCC-28 PSB2156N V1.1.pdf
PID-02048-3097 ORIGINAL CDIP PID-02048-3097.pdf
R6641-44 ROCKWELL QFP R6641-44.pdf
CIM03J241NC SAMSUNG SMD or Through Hole CIM03J241NC.pdf
MMA7261QT freescale QFN16 MMA7261QT.pdf