홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DDTD114GC-7-F

Diodes Incorporated DDTD114GC-7-F

DDTD114GC-7-F
제조업체 부품 번호
DDTD114GC-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
DDTD114GC-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 62.51733
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DDTD114GC-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DDTD114GC-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DDTD114GC-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DDTD114GC-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDTD114GC-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDTD114GC-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DDTD (zzzz) C
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Green Encapsulate 15/May/2008
Bond Wire 11/Nov/2011
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)-
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce56 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DDTD114GC-7-F
관련 링크DDTD114, DDTD114GC-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DDTD114GC-7-F 의 관련 제품
ADE7768AR ADI SMD or Through Hole ADE7768AR.pdf
PNX8314HS/C102 NXP SMD or Through Hole PNX8314HS/C102.pdf
IS20ZDSZ ORIGINAL TO-220-4 IS20ZDSZ.pdf
RJH3047ADPK-00 RENESAS TO3P RJH3047ADPK-00.pdf
CD54HC244J HARRIS CDIP CD54HC244J.pdf
LNT2A153MSEN nichicon SMD or Through Hole LNT2A153MSEN.pdf
G2R-1-T-DC24V OMRON SMD or Through Hole G2R-1-T-DC24V.pdf
O27.0-JO32-B-3.3-1-LF JAUCH SMD O27.0-JO32-B-3.3-1-LF.pdf
D9143 NEC SMD D9143.pdf
SMES10.4B PHI QFP SMES10.4B.pdf
1N3001 MICROSEMI SMD 1N3001.pdf
898-1-R82K BI SMD or Through Hole 898-1-R82K.pdf