창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DDTC114EUA-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DDTC - R1 equals R2 Series - UA | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1575 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DDTC114EUA-FDITR DDTC114EUA7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DDTC114EUA-7-F | |
관련 링크 | DDTC114E, DDTC114EUA-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
CMF50499K00FHRE | RES 499K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50499K00FHRE.pdf | ||
MG7502YS1 | MG7502YS1 Nuvoton DIP | MG7502YS1.pdf | ||
L5670C | L5670C ORIGINAL SMD or Through Hole | L5670C.pdf | ||
KM432S2030BT-GL | KM432S2030BT-GL SAMSUNG SMD or Through Hole | KM432S2030BT-GL.pdf | ||
UA202LHC | UA202LHC ORIGINAL CAN | UA202LHC.pdf | ||
AMPAL18P8PC | AMPAL18P8PC AMD DIP | AMPAL18P8PC.pdf | ||
BCV170E6327 | BCV170E6327 INFINEON SMD or Through Hole | BCV170E6327.pdf | ||
21006901 | 21006901 JDSU SMD or Through Hole | 21006901.pdf | ||
AK5385VF | AK5385VF AK SMD | AK5385VF.pdf | ||
NB06QSA045 | NB06QSA045 NICE NB | NB06QSA045.pdf | ||
K9WBG08U1M-IIB0T | K9WBG08U1M-IIB0T samsung 52TLGA | K9WBG08U1M-IIB0T.pdf |