홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DDTB123TC-7-F

Diodes Incorporated DDTB123TC-7-F

DDTB123TC-7-F
제조업체 부품 번호
DDTB123TC-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
DDTB123TC-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 51.15067
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DDTB123TC-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DDTB123TC-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DDTB123TC-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DDTB123TC-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDTB123TC-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDTB123TC-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DDTB (zzzz) C
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Green Encapsulate 15/May/2008
Bond Wire 11/Nov/2011
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DDTB123TC-7-F
관련 링크DDTB123, DDTB123TC-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DDTB123TC-7-F 의 관련 제품
4700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) VJ1812A472KBAAT4X.pdf
RES SMD 432 OHM 1% 1/16W 0402 AF0402FR-07432RL.pdf
RES SMD 430 OHM 1% 1/20W 0201 MCR006YZPF4300.pdf
0805 33K ORIGINAL SOP DIP 0805 33K.pdf
PI6C980H9 PER Call PI6C980H9.pdf
DG506ACJ-4 AD DIP DG506ACJ-4.pdf
BLM41PG181SN1B muRata SMD or Through Hole BLM41PG181SN1B.pdf
EC521029B-1L-E Aarobi BGA EC521029B-1L-E.pdf
AD8364ACPZ-REEL7D ADI 32-LFCSP AD8364ACPZ-REEL7D.pdf
G3T13AP NKKSwitches SMD or Through Hole G3T13AP.pdf