창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDTA115TCA-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DDTA - R1-Only Series - CA | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 100k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DDTA115TCA-FDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DDTA115TCA-7-F | |
| 관련 링크 | DDTA115T, DDTA115TCA-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GDT5R531 | 1 ~ 5.5pF Trimmer Capacitor 250V Top Adjustment Surface Mount 0.311" Dia x 0.433" L (7.90mm x 11.00mm) | GDT5R531.pdf | |
![]() | SBRT10U50SP5-13 | DIODE SBR 50V 10A POWERDI5 | SBRT10U50SP5-13.pdf | |
![]() | 7-1415539-8 | PB133012 | 7-1415539-8.pdf | |
![]() | QDSP-2539 | QDSP-2539 HP DIP | QDSP-2539.pdf | |
![]() | MM74HC194N | MM74HC194N NS DIP | MM74HC194N.pdf | |
![]() | MK2012RFE-R | MK2012RFE-R ON Connecting | MK2012RFE-R.pdf | |
![]() | U6640BG | U6640BG TFK DIP-28 | U6640BG.pdf | |
![]() | CN25-3H103JB | CN25-3H103JB MIT SMD or Through Hole | CN25-3H103JB.pdf | |
![]() | SEL2915A | SEL2915A SANKEN DIP | SEL2915A.pdf | |
![]() | P5612 | P5612 SHARPLED SMD or Through Hole | P5612.pdf | |
![]() | S29GL032M10FFIR1 | S29GL032M10FFIR1 SPANSION BGA | S29GL032M10FFIR1.pdf | |
![]() | HCTL12016 | HCTL12016 TI SMD or Through Hole | HCTL12016.pdf |