창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDTA114ECA-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DDTA - R1 equals R2 Series - CA | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1574 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DDTA114ECA-FDITR DDTA114ECA7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DDTA114ECA-7-F | |
| 관련 링크 | DDTA114E, DDTA114ECA-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | JJS-15 | FUSE CRTRDGE 15A 600VAC NON STD | JJS-15.pdf | |
![]() | G691L438T73UF | G691L438T73UF GMT SMD or Through Hole | G691L438T73UF.pdf | |
![]() | AN6676 | AN6676 PAN DIP-24 | AN6676.pdf | |
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![]() | SM10165 | SM10165 BB SMD or Through Hole | SM10165.pdf | |
![]() | SN54179J | SN54179J TI DIP | SN54179J.pdf | |
![]() | K-XC866-2FRA | K-XC866-2FRA Infineon TSSOP | K-XC866-2FRA.pdf | |
![]() | NTD20N03R | NTD20N03R ON TO-252 | NTD20N03R.pdf | |
![]() | 80USR2200M30X25 | 80USR2200M30X25 Rubycon DIP-2 | 80USR2200M30X25.pdf |