창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDR2-P-E3-UT6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DDR2-P-E3-UT6 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DDR2-P-E3-UT6 | |
| 관련 링크 | DDR2-P-, DDR2-P-E3-UT6 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MALREKE00AA122LM0K | 2.2µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 48.23 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | MALREKE00AA122LM0K.pdf | |
![]() | LXY50VB821M16X25LL | 820µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | LXY50VB821M16X25LL.pdf | |
![]() | GL130F33CDT | 13MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL130F33CDT.pdf | |
![]() | LQP15MN1N3W02D | 1.3nH Unshielded Thin Film Inductor 280mA 200 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQP15MN1N3W02D.pdf | |
![]() | CRCW1206866KFKEAHP | RES SMD 866K OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW1206866KFKEAHP.pdf | |
![]() | L39UL390360 | L39UL390360 ROC PQFP | L39UL390360.pdf | |
![]() | TEX21 | TEX21 ST BGA0606 | TEX21.pdf | |
![]() | RS3A-N | RS3A-N KTG NSMC | RS3A-N.pdf | |
![]() | R182S1E5500 | R182S1E5500 APEM SMD or Through Hole | R182S1E5500.pdf | |
![]() | DZ540N08KOF | DZ540N08KOF EUPEC SMD or Through Hole | DZ540N08KOF.pdf | |
![]() | JS29F32G08FANCI | JS29F32G08FANCI K/HY TSOP | JS29F32G08FANCI.pdf | |
![]() | IMS1420W45S | IMS1420W45S INMOS LCC | IMS1420W45S.pdf |