창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDR2 HYB18T256161AF-28(16X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DDR2 HYB18T256161AF-28(16X | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DDR2 HYB18T256161AF-28(16X | |
| 관련 링크 | DDR2 HYB18T2561, DDR2 HYB18T256161AF-28(16X 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | UPV1V680MGD | 68µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPV1V680MGD.pdf | |
![]() | MKP385330250JKI2B0 | 0.03µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | MKP385330250JKI2B0.pdf | |
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![]() | LQG18HN5N6S00D | 5.6nH Unshielded Multilayer Inductor 430mA 200 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQG18HN5N6S00D.pdf | |
![]() | S1812-821J | 820nH Shielded Inductor 614mA 530 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-821J.pdf | |
![]() | 4307-335H | 3.3mH Shielded Molded Inductor 80mA 53 Ohm Max Axial | 4307-335H.pdf | |
![]() | LT3686AEDD#PBF/AI/AH | LT3686AEDD#PBF/AI/AH LT DFN | LT3686AEDD#PBF/AI/AH.pdf | |
![]() | 20TQ045PBF(BULK) | 20TQ045PBF(BULK) VISHAY SMD or Through Hole | 20TQ045PBF(BULK).pdf | |
![]() | V9243 113 | V9243 113 N/A SMD or Through Hole | V9243 113.pdf | |
![]() | NI24KA0202 | NI24KA0202 ORIGINAL SMD or Through Hole | NI24KA0202.pdf | |
![]() | BM1117-1.2 | BM1117-1.2 BM SOT-223 | BM1117-1.2.pdf |