창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDA122TH-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DDA (LO-R1) H | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Cooper Lead Frame 06/July/2007 Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 220 | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| 주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DDA122TH-7 | |
| 관련 링크 | DDA122, DDA122TH-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 2EX102K4 | 1000pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.400" L x 0.276" W(10.20mm x 7.00mm) | 2EX102K4.pdf | |
![]() | MJE15030G | TRANS NPN 150V 8A TO220AB | MJE15030G.pdf | |
![]() | IRFB4310ZPBF | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB | IRFB4310ZPBF.pdf | |
![]() | DG200-J | AC/DC CONVERTER 36V 200W | DG200-J.pdf | |
![]() | FX-311GP | SENSOR FIBER AMP PNP 12-24VDC | FX-311GP.pdf | |
![]() | PS507A-BB | PS507A-BB SCI SMD or Through Hole | PS507A-BB.pdf | |
![]() | PDH4008 | PDH4008 ORIGINAL MODULE | PDH4008.pdf | |
![]() | SS1201 | SS1201 ORIGINAL SOT23-5 | SS1201.pdf | |
![]() | RN1906.LNORITZF | RN1906.LNORITZF TOSHIBA SMD or Through Hole | RN1906.LNORITZF.pdf | |
![]() | SK5150 | SK5150 PANJIT DO-214AB | SK5150.pdf | |
![]() | TM59ELAB080010 | TM59ELAB080010 TRANSMETA BGA | TM59ELAB080010.pdf |