홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » DDA114EK-7-F

Diodes Incorporated DDA114EK-7-F

DDA114EK-7-F
제조업체 부품 번호
DDA114EK-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
데이터 시트 다운로드
다운로드
DDA114EK-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 88.95733
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DDA114EK-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DDA114EK-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DDA114EK-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DDA114EK-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDA114EK-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDA114EK-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DDA (zzzz) K
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)-
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6
공급 장치 패키지SOT-26
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DDA114EK-7-F
관련 링크DDA114E, DDA114EK-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DDA114EK-7-F 의 관련 제품
Pressure Sensor 60 PSI (413.69 kPa) Absolute Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 105 mV (5V) 4-SMD, J-Lead, Top Port NBPMLNN060PAUNV.pdf
HIP6019BCB/A HAR SMD HIP6019BCB/A.pdf
NCP1377D ON SOP8 NCP1377D.pdf
HC38245A TI SOP38M HC38245A.pdf
HZ22-2TD Renesas/Hitachi DO-35 HZ22-2TD.pdf
450BXC22MEFC 12.5X25 RUBYCON SMD or Through Hole 450BXC22MEFC 12.5X25.pdf
RR3P-ULDC24 ORIGINAL SMD or Through Hole RR3P-ULDC24.pdf
HM6287HLP-70 HIT DIP24 HM6287HLP-70.pdf
GRM42-6X7R203J050AD MRT SMD or Through Hole GRM42-6X7R203J050AD.pdf
LQS66C2R2M04 MURATA SMD or Through Hole LQS66C2R2M04.pdf