창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CZRW5248B-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration SOD-123 Series Material Declaration | |
PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Comchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 21옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 14V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CZRW5248B-G | |
관련 링크 | CZRW52, CZRW5248B-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 |
E82D451VNN681QA80T | CAP ALUM 680UF 450V RADIAL | E82D451VNN681QA80T.pdf | ||
7M-24.576MEEQ-T | 24.576MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-24.576MEEQ-T.pdf | ||
445C32G14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C32G14M31818.pdf | ||
CMF551M3300FHEK | RES 1.33M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551M3300FHEK.pdf | ||
AM120MH2-BI-R | AM120MH2-BI-R A-MCOM SMD or Through Hole | AM120MH2-BI-R.pdf | ||
TMCUB1V225MTR | TMCUB1V225MTR HITACHI 2.2U35V | TMCUB1V225MTR.pdf | ||
MHY2008-1 | MHY2008-1 TOSHIBA SMD | MHY2008-1.pdf | ||
MCRF202-I/SNXXX | MCRF202-I/SNXXX MICROCHIP dip sop | MCRF202-I/SNXXX.pdf | ||
ESF158M6R3AH5AA | ESF158M6R3AH5AA ARCOTRNI SMD or Through Hole | ESF158M6R3AH5AA.pdf | ||
415A | 415A MIC SOP8 | 415A.pdf | ||
SKKL71//16D | SKKL71//16D SEMIKRON 70A 1600V 2U | SKKL71//16D.pdf | ||
EEFSX0J221R | EEFSX0J221R PANASONIC SMD | EEFSX0J221R.pdf |