창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRW5246B-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration SOD-123 Series Material Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRW5246B-G | |
| 관련 링크 | CZRW52, CZRW5246B-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | CMF5526K400BEEA70 | RES 26.4K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5526K400BEEA70.pdf | |
![]() | M93C46-MN3TP | M93C46-MN3TP ST SOP8 | M93C46-MN3TP.pdf | |
![]() | HN1B01F-Y(TE85 | HN1B01F-Y(TE85 TOSHIBA SOT23-6 | HN1B01F-Y(TE85.pdf | |
![]() | R3114K281C-TR-F | R3114K281C-TR-F RICHO DFN(PLP)101 | R3114K281C-TR-F.pdf | |
![]() | 1-521382-6 | 1-521382-6 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1-521382-6.pdf | |
![]() | 1428281 | 1428281 AMI DIP | 1428281.pdf | |
![]() | 600A-ST-4 | 600A-ST-4 ORIGINAL SMD or Through Hole | 600A-ST-4.pdf | |
![]() | AD8B2ARZ | AD8B2ARZ ADI SMD or Through Hole | AD8B2ARZ.pdf | |
![]() | AS15-HG. | AS15-HG. E-CMOS QFP48 | AS15-HG..pdf | |
![]() | RA3-10V331MG3 | RA3-10V331MG3 ELNA DIP | RA3-10V331MG3.pdf | |
![]() | IDT5V9885NLGI8 | IDT5V9885NLGI8 IDT BGA | IDT5V9885NLGI8.pdf | |
![]() | TRW9139BE | TRW9139BE TRUSP SOP | TRW9139BE.pdf |