창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRT55C9V1-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZRT55C2V4~39-G | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration SOT-23 Series Material Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRT55C9V1-G | |
| 관련 링크 | CZRT55C, CZRT55C9V1-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
| SIJ458DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | SIJ458DP-T1-GE3.pdf | ||
![]() | S0603-271NJ3 | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 2.2 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-271NJ3.pdf | |
![]() | LTS-6760AE | LTS-6760AE LITEON SMD or Through Hole | LTS-6760AE.pdf | |
![]() | RD3.6E | RD3.6E NEC SMD or Through Hole | RD3.6E.pdf | |
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![]() | L01TAB | L01TAB ORIGINAL LLP8 | L01TAB.pdf | |
![]() | 26644030 | 26644030 N/A SMD or Through Hole | 26644030.pdf | |
![]() | MC908AP64LFBE | MC908AP64LFBE MOT QFP | MC908AP64LFBE.pdf | |
![]() | K105+0E | K105+0E TECCOR TO-92 | K105+0E.pdf | |
![]() | CY62146ELL-45ZSXIT | CY62146ELL-45ZSXIT CYPRESS TSOP44 | CY62146ELL-45ZSXIT.pdf | |
![]() | USM105 | USM105 TOSHIBA DO-213AB(MELF) | USM105.pdf | |
![]() | 962 A1 | 962 A1 SIS SMD or Through Hole | 962 A1.pdf |